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军委装备发展部信息系统局于2017年8月7日通过全军武器装备采购信息网(http://www.weain.mil.cn)发布了229项电子元器件科研项目研制需求,其中公开141项,涉密88项(涉密信息详情须按照网站“服务指南->涉密查询流程”到全军武器装备采购信息网各查询点进行现场查询)。此次评审公告(军委装备发展部信息系统局2017年电子元器件科研项目评审公告)可通过互联网到全军武器装备采购信息网 “采购公告->其他公告”中查询。公开信息详情及相关电子模板可在评审公告附件中下载。本批次信息不需要通过全军武器装备采购信息网对接。
“采购公告->采购需求”新增1条关于海军微波宽带信息传输系统采购需求信息。该信息的对接截止时间为2017年8月21日,详细信息须按照网站“服务指南->涉密查询流程”到全军武器装备采购信息网各查询点(北京、重庆、上海、沈阳、西安、深圳)进行现场查询。
电子元器件科研项目研制需求公开的141项项目详情如下:
序号 |
项目 编号 |
项目名称 |
主要性能指标 |
1 |
1707WJ0001 |
128G、480G自主通用型交换芯片系列 |
共2个品种: |
2 |
1707WJ0002 |
20G、40G网络处理器芯片系列 |
共2个品种: |
3 |
1707WJ0003 |
高速以太网接口及控制电路 |
共7个品种: |
4 |
1707WJ0004 |
通用高性能图形处理器(GPU) |
1个品种: |
5 |
1707WJ0005 |
军用多核64位处理器(CPU) |
1个品种: |
6 |
1707WJ0006 |
高性能多核64位处理器(CPU) |
1个品种: |
7 |
1707WJ0007 |
高性能嵌入式多核32位处理器(CPU) |
1个品种: |
8 |
1707WJ0008 |
高性能通用控制器 |
1个品种: |
9 |
1707WJ0009 |
高可靠航发控制系统用微控制器 |
1个品种: |
10 |
1707WJ0010 |
敌我识别中频信号处理器芯片 |
1个品种: |
11 |
1707WJ0011 |
3D封装DDR SDRAM系列 |
共4个品种: |
12 |
1707WJ0012 |
12.5Gbps超低传输延时收发芯片 |
共2个品种: 品种2:接收芯片。串行数据率:12.5Gbps;传输延迟:≤20ns。 |
13 |
1707WJ0013 |
低功耗高速收发器系列 |
共3个品种: |
14 |
1707WJ0014 |
PCIE3.0接口电路 |
1个品种: |
15 |
1707WJ0015 |
10位AD转换器 |
1个品种: |
16 |
1707WJ0016 |
宽带AD转换器 |
共2个品种: |
17 |
1707WJ0017 |
24位超高精度AD转换器系列 |
共3个品种: |
18 |
1707WJ0018 |
高速AD转换器 |
共2个品种: |
19 |
1707WJ0019 |
高速、高压DA转换器系列 |
共4个品种: |
20 |
1707WJ0020 |
低延迟LVDS接口高速AD/DA转换器 |
共2个品种: |
21 |
1707WJ0021 |
谐振控制器 |
共3个品种: |
22 |
1707WJ0022 |
数字控制DC/DC电源转换器系列 |
共4个品种: |
23 |
1707WJ0023 |
宽压大功率DC/DC电源转换器系列 |
共4个品种: |
24 |
1707WJ0024 |
双通道数字控制DC/DC稳压器 |
共3个品种: |
25 |
1707WJ0025 |
超低噪声多通道电压调整器 |
共6个品种: 品种4、品种5、品种6:输出通道数:1、1、1;输出电压V:2.5、5、3.3;输出电压精度:±3%、±3%、±2.4%;输出电流mA:100、100、500;最高输入电压V:20。 |
26 |
1707WJ0026 |
模拟开关电路系列 |
共7个品种: |
27 |
1707WJ0027 |
高温电压调整器/电压比较器 |
共2个品种: |
28 |
1707WJ0028 |
超宽带高速跟踪/采样保持电路 |
共2个品种: |
29 |
1707WJ0029 |
电机驱动器系列 |
共4个品种: |
30 |
1707WJ0030 |
FLASH型可编程器件 |
1个品种: |
31 |
1707WJ0031 |
大动态高精度数字式单片陀螺仪信号调理电路 |
共2个品种: |
32 |
1707WJ0032 |
微小体积光纤陀螺信号处理SiP系列 |
共3个品种: |
33 |
1707WH0001 |
数字控制270V输出AC/DC电源模块 |
共3个品种: |
34 |
1707WH0002 |
大功率AC/DC电源模块 |
共6个品种: |
35 |
1707WH0003 |
数字控制大功率DC/DC电源模块 |
共8个品种: |
36 |
1707WH0004 |
3.6-36V输入电压DC/DC变换器 |
共6个品种: |
37 |
1707WH0005 |
270V母线输入大功率DC/DC变换器系列 |
|
38 |
1707WH0006 |
385V母线输入大功率DC/DC变换器系列 |
共4个品种: |
39 |
1707WH0007 |
输出电压可调稳压器系列 |
共2个品种: |
40 |
1707WH0008 |
EMI滤波器系列 |
共4个品种: |
41 |
1707WQ0001 |
600V(25A-100A)系列IGBT芯片 |
共3个品种: |
42 |
1707WQ0002 |
1200V(25A-100A)系列IGBT芯片 |
共3个品种: |
43 |
1707WQ0003 |
1200V(150A、200A)大电流IGBT芯片 |
共2个品种: |
44 |
1707WQ0004 |
1700V(25A-100A)系列IGBT芯片 |
共3个品种: |
45 |
1707WQ0005 |
1200V SiC混合IGBT半桥模块系列 |
3个品种: |
46 |
1707WQ0006 |
IGBT高压栅驱动芯片 |
共2个品种: |
47 |
1707WQ0007 |
军用大电流功率MOSFET |
共5个品种: |
48 |
1707WQ0008 |
大电流肖特基功率二极管 |
共4个品种: |
49 |
1707WQ0009 |
低损耗超级整流二极管系列 |
共4个品种: |
50 |
1707WQ0010 |
1700V碳化硅肖特基二极管 |
共2个品种: |
51 |
1707WW0001 |
宽带低噪声放大器MMIC |
共7个品种: |
52 |
1707WW0002 |
毫米波混频器MMIC |
共3个品种: |
53 |
1707WW0003 |
毫米波倍频器MMIC |
共2个品种: |
54 |
1707WW0004 |
W波段开关MMIC |
共4个品种: |
55 |
1707WW0005 |
W波段限幅器MMIC |
共2个品种: |
56 |
1707WW0006 |
限幅低噪声放大器MMIC |
共5个品种: |
57 |
1707WW0007 |
GaAs变频多功能MMIC |
共3个品种: |
58 |
1707WW0008 |
微波对数放大器 |
共2个品种: |
59 |
1707WW0009 |
毫米波频率源 |
共2个品种: |
60 |
1707WW0010 |
星载小型化宽带检测电路 |
共4个品种: |
61 |
1707WG0001 |
高灵敏度长波512×8数字化TDI红外探测器杜瓦组件 |
1个品种: |
62 |
1707WG0002 |
弹载用斯特林制冷机 |
共2个品种: |
63 |
1707WG0003 |
低功耗即开即用型固体激光器 |
共2个品种: |
64 |
1707WG0004 |
974nm半导体激光器系列 |
共2个品种: |
65 |
1707WG0005 |
200W半导体激光器芯片 |
1个品种: |
66 |
1707WG0006 |
超高速多路并行光收发组件 |
共4个品种: |
67 |
1707WG0007 |
水下高速无线光通信组件 |
共1个品种: |
68 |
1707WG0008 |
多芯多模柔软铠装光缆 |
共3个品种: |
69 |
1707WG0009 |
高精度小型化光纤陀螺用薄涂覆层保偏光纤 |
共2个品种: |
70 |
1707WG0010 |
超宽带精密可调光纤延时组件 |
共2个品种: |
71 |
1707WG0011 |
高温光纤动态气压传感器 |
共3个品种: |
72 |
1707WG0012 |
小尺寸高精细度液晶显示屏系列 |
共2个品种: |
73 |
1707WG0013 |
0.77英寸高亮度绿光硅基OLED微型显示器 |
共2个品种: |
74 |
1707WZ0001 |
锌/空气燃料电池系列 |
共3个品种: |
75 |
1707WZ0002 |
柔性高效太阳电池 |
1个品种: |
76 |
1707WZ0003 |
环形铁芯有限转角力矩电机 |
共4个品种: |
77 |
1707WZ0004 |
高功率密度无刷舵机电机 |
共4个品种: |
78 |
1707WZ0005 |
高速永磁同步发电机 |
共6个品种: |
79 |
1707WZ0006 |
多通道冗余抗短路发电机 |
共5个品种: |
80 |
1707WZ0007 |
航天失电制动器 |
共4个品种: |
81 |
1707WZ0008 |
旋转关节式射频同轴连接器组件 |
共2个品种: |
82 |
1707WZ0009 |
气密封大功率射频同轴连接器 |
共5个品种: |
83 |
1707WZ0010 |
10Gbps高速耐环境圆形高密度I/O连接器 |
共4个品种: |
84 |
1707WZ0011 |
盲插式带压插拔流体连接器 |
共3个品种: |
85 |
1707WZ0012 |
1394总线连接器 |
共8个品种: |
86 |
1707WZ0013 |
高温密封电连接器 |
共3个品种: |
87 |
1707WZ0014 |
深水光电连接器 |
共5个品种: |
88 |
1707WZ0015 |
高频双路旋转关节 |
共2个品种: |
89 |
1707WZ0016 |
SMA、SMP同轴高频负载 |
共3个品种: |
90 |
1707WZ0017 |
高压直流接触器 |
共3个品种: 120V,500A,50次。 120V,250A,50次。 270V,500A,50次。 |
91 |
1707WZ0018 |
大功率微波开关 |
共8个品种: |
92 |
1707WZ0019 |
表面安装光-MOS固态继电器 |
共6个品种: |
93 |
1707WZ0020 |
小型气密封微动开关 |
共3个品种: |
94 |
1707WZ0021 |
小型大功率电磁断路器 |
共5个品种: |
95 |
1707WZ0022 |
轻质吊放光(电)复合缆组件 |
共2个品种: |
96 |
1707WY0001 |
隔离型微压差传感器 |
共4个品种: |
97 |
1707WY0002 |
微压传感器 |
共3个品种: |
98 |
1707WY0003 |
高温动态压力传感器 |
共3个品种: |
99 |
1707WY0004 |
高温转速传感器 |
共3个品种: |
100 |
1707WY0005 |
高过载MEMS陀螺仪 |
共1个品种: |
101 |
1707WY0006 |
小型抗振及抗冲击晶体振荡器 |
共9个品种: |
102 |
1707WY0007 |
星用高频高稳恒温晶体振荡器 |
共4个品种: |
103 |
1707WY0008 |
基于多功能芯片的低功耗低相噪恒温晶振 |
共4个品种,产品指标(常温): |
104 |
1707WY0009 |
星载高可靠开关 |
共4个品种: |
105 |
1707WY0010 |
超宽带大功率环行器 |
共4个品种: |
106 |
1707WY0011 |
小型慢断熔断器 |
共5个品种: |
107 |
1707WY0012 |
小型低损耗声表滤波器 |
共4个品种: |
108 |
1707WY0013 |
星用声表面波滤波器 |
共10个品种: |
109 |
1707WY0014 |
小型化磁性宽带滤波器 |
共4个品种: |
110 |
1707WY0015 |
多阻带数控陷波YIG滤波器 |
共4个品种: |
111 |
1707WY0016 |
有机导电聚合物固体电解质钽电容器 |
共8个品种: |
112 |
1707WY0017 |
片式有机导电聚合物固体电解质铝电容器 |
共8个品种: |
113 |
1707WY0018 |
飞行器用低漏感高可靠脉冲变压器 |
共4个品种: |
114 |
1707WM0001 |
6英寸半绝缘砷化镓衬底材料 |
1个品种: 直径:150±0.4mm;电阻率:≥1×108Ω•cm;径向电阻率不均匀性:≤30%;迁移率:≥4500cm2/V•s;表面质量:双面抛光。 |
115 |
1707WM0002 |
4英寸磷化铟单晶片 |
1个品种: 直径:100±0.3mm;电阻率:≥1E7Ω•cm;迁移率:≥2E3cm2/V•s;位错密度:≤5E3/cm2;表面质量:双面抛光,表面无划痕、崩边、沾污和雾等缺陷。 |
116 |
1707WM0003 |
表层增益和平面波导高能YAG激光板条 |
共2个品种: 品种1:板条尺寸(mm3):(2±0.02)×(28±0.5)×(121±0.5);掺杂浓度(at%):1.5±0.15;波前畸变@633nm≤0.1λ/英寸;消光比≥30dB。 品种2:板条尺寸(mm3):(5.0±0.02)×(20±0.5)×(75±0.5);掺杂浓度(at%):5±0.5;波前畸变@633nm≤0.1λ/英寸;消光比≥30dB。 |
117 |
1707WM0004 |
120mm CdZnTe晶体材料 |
1个品种: 晶体直径:120±2mm;衬底尺寸:70mm×70mm;衬底厚度:950±50μm;平均位错腐蚀坑密度(EPD):≤5×104cm-2;红外透过率(4000~400cm-1):≥60%;表面粗糙度(Ra):≤1nm。 |
118 |
1707WM0005 |
锂氟化碳电池正极材料 |
1个品种: 比能量:>2000Wh/kg(金属锂负极,截止电压1.5V,0.05C);比能量:>1500Wh/kg(金属锂负极,截止电压1.5V,1C);具备年产300公斤氟化碳材料能力,提供的合格氟化碳材料累计不低于100公斤。 |
119 |
1707WM0006 |
射频MEMS用区熔硅单晶材料 |
1个品种: 直径:150±0.3mm;电阻率:≥10000Ω•cm;型号:P型; 厚度:625±10μm;TTV:≤3μm;Warp:≤15μm。 |
120 |
1707WM0007 |
6英寸SiC电力电子器件用外延材料 |
1个品种: 外延厚度范围5~100 μm稳定可控;实现N型掺杂浓度1E14~2E19 cm-3稳定可控;外延片片内掺杂浓度偏差<5%,厚度偏差2%;批次间掺杂浓度偏差<5%,批次间外延厚度偏差<5%。 |
121 |
1707WM0008 |
高阻Ga2O3单晶材料 |
1个品种: 晶体尺寸:≥2英寸;XRD FWHM:≤50arcsec;电阻率:≥108Ω·cm;位错密度:≤105cm-2;表面粗糙度:≤0.5nm。 |
122 |
1707WM0009 |
3英寸YLF系列激光晶体 |
共2个品种: 产品1:晶坯直径≥φ75mm×100mm;掺钕浓度:(0.18±0.05)at%;元件尺寸:(40~50)×(60~70)×(1~4)mm3;消光比≥35dB。 产品2:晶坯直径≥φ75mm×100mm;晶向:a轴(<100>方向);掺钬浓度:(1.0±0.1)at%;元件尺寸:(30~40)×(70~80)×(2~4)mm3;消光比≥35dB。 |
123 |
1707WM0010 |
稀土离子铒镱共掺双折射光导材料 |
1个品种: 工作波长:1530-1625nm;纤芯直径:12±1.5µm;包层直径:130±2.0µm;涂覆层直径:215±5.0µm;包层衰减@1095nm: ≤30dB/km;纤芯数值孔径:0.20±0.02;内包层数值孔径:≥0.46。 |
124 |
1707WM0011 |
3英寸II类超晶格红外焦平面探测器外延材料 |
1个品种: 尺寸:76.2mm±0.5mm;零级峰与衬底的晶格失配≤1×10-3,一级卫星峰半峰宽≤30sec;径向厚度偏差:≤±2%;连续生长4片厚度涨落:≤±2%;量子效率:≥40%;响应截止波长:≥12.5μm;峰值探测率:D*λ≥6×1010cmHz1/2/W。 |
125 |
1707WM0012 |
硅碳材料 |
共3个品种: 品种1:粒度D50: 10~20 µm;比表面积:≤4m2/g;比容量:≥400 mAh/g( 0.1C,0.01~2V,vs.Li+/Li)。 品种2:粒度D50: 10~20 µm;比表面积:≤8m2/g;比容量:≥450 mAh/g( 0.1C,0.01~2V,vs.Li+/Li)。 品种3:粒度D50: 10~20 µm;比表面积:≤12m2/g;比容量:≥500 mAh/g( 0.1C,0.01~2V,vs.Li+/Li)。 |
126 |
1707WM0013 |
钽酸锂晶片 |
1个品种: 直径:Φ100.0±0.20mm;厚度:0.25±0.05mm;居里温度:605±3℃; 黑化后指标:体积电阻率(Ω·cm):0.99E+10~9.9E+10;光透过率:<65%(@365nm)。 |
127 |
1707WM0014 |
抗辐照稀土永磁材料系列 |
共3个品种: 产品1:温度系数α(%/℃):-0.02~+0.02(-55℃~+155℃);剩磁Br(T):≥0.8;矫顽力HcB(kA/m):≥520;最大磁能积(BH)max(kJ/m3):130±16。 产品2:温度系数α(%/℃):0~-0.025(-55℃~+155℃);剩磁Br(T):≥0.93;矫顽力HcB(kA/m):≥640;最大磁能积(BH)max(kJ/m3):183±16。 产品3:温度系数α(%/℃):0~-0.035(-55℃~+155℃);剩磁Br(T):≥1.05;矫顽力HcB(kA/m)≥720;最大磁能积(BH)max(kJ/m3):223±16。 |
128 |
1707WM0015 |
抗强电磁脉冲/雷达吸波轻质复合材料 |
共2个品种: 产品1:窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能:≥60dB;厚度:≤5mm;密度:≤2.0g/cm3;拉伸强度:≥450MPa;弯曲强度:≥350MPa。 产品2:窄带高功率微波电磁脉冲屏蔽效能:≥60dB;厚度:≤50mm;密度:≤0.7g/cm³;材料承受下列静载荷,无塑性变形或损坏:均布载荷:3kN/m2,集中载荷:面积500mm×500mm载荷10kN。 |
129 |
1707WP0001 |
铝合金一体化封装金属外壳 |
共2个品种: 材料:壳体采用铝合金6061,盖板采用激光焊适配的铝合金;壳体导热率:≥125 W/( m•K);其他指标符合GJB2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。 |
130 |
1707WP0002 |
电源电路用大电流CLGA外壳 |
共2个品种: 材料:适合布线导体≤7mΩ/□的高温共烧氧化铝陶瓷;最大承载电流:单通道≥8A,双通道≥10A;低电阻端导通电阻:≤20mΩ;导体方阻:≤7mΩ/□;其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
131 |
1707WP0003 |
高隔离电压CSOP外壳 |
共2个品种: 材料:Al2O3,4J42;隔离电压:CSOP16-1.27≥3500Vrms;CSOP16-0.635≥1500Vrms;其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
132 |
1707WP0004 |
高隔离电压CDFN陶瓷外壳 |
共3个品种: 材料:氧化铝陶瓷,封接环和盖板用4J42铁镍合金;耐压(KV)≥3.5(CDFN4-1.27);耐压(KV)≥2(CDFN6-1.27、CDFN8-1.27);恒定加速度:30000g;平面度:≤0.05㎜;其它指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
133 |
1707WP0005 |
0.8mm节距高速FC-CLGA外壳 |
共2个品种: 主要材料:氧化铝陶瓷瓷件、可伐封口环;节距:0.8mm;最高应用采样速度:5GSPS;模拟端信号最高频率:24GHz;插入损耗S21:≤1dB(24GHz); 电压驻波比:VSWR:≤1.5(24GHz);导体方阻:≤15mΩ;高速信号路数:≥4;其他指标符合GJB 1420B 《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
134 |
1707WP0006 |
SMD阵列陶瓷外壳系列 |
共2个品种: 材料:氧化铝陶瓷,热沉乌铜、钼铜,封口环4J29或4J42。单元个数:≥2个;密封区平面度:≤50μm;输入/输出端电阻:≤20mΩ;热阻θjc:≤2℃/W;其它指标符合GJB 1420B-2011《半导体集成电路外壳通用规范》。 |
135 |
1707WP0007 |
钼铜衬底LTCC一体化封装外壳 |
共2个品种: 引出端数:22、25,其中射频引出端数:7、5;材料:底板钼铜、环框可伐、LTCC基板;结构:腔体式结构、平行缝焊结构;高频性能(Ka、Ku波段):驻波比≤1.3dB;插损≤0.3dB;其他指标符合GJB 2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。 |
136 |
1707WP0008 |
U波段平面传输型陶瓷外壳 |
共2个品种: 材料:可伐墙体;钼铜/钨铜基板;氧化铝陶瓷绝缘子;封装形式:带法兰陶瓷绝缘子金属外壳形式;应用频率:40~60GHz;传输线端子回波损耗:≤-10dB(@40~60GHz);传输线端子插损:≤3dB(@40~60GHz);射频隔离度:≥30dB(@40~60GHz);其他指标符合GJB923《半导体分立器件外壳通用规范》 |
137 |
1707WP0009 |
抗高过载带圆形光窗金属外壳 |
共3个品种: 品种1:产品外形尺寸:φ6mm;通光孔直径: ≥φ2.5mm;透过率: ≥99%(λ=905nm);最大抗过载能力: ≥30000g。 产品2:产品外形尺寸:φ9mm;通光孔直径: ≥φ3mm;透过率: ≥99%(λ=905nm); 最大抗过载能力: ≥30000g。 产品3:产品外形尺寸:φ15mm;通光孔直径: ≥φ5mm;透过率: ≥99%(λ=905nm);最大抗过载能力: 轴向≥16000g,径向25000g。 其他指标符合GJB 5438 《光电器件金属外壳通用规范》 |
138 |
1707WP0010 |
100Gbps光电调制解调器金属外壳 |
共3个品种: 基体材料:不锈钢;结构:腔体式平行缝焊结构;高频传输端子(自制)电压驻波比:≤1.25(Freq≤26.5GHz),≤1.35(Freq≤40GHz),≤1.5(Freq≤65GHz);其它指标符合GJB 2440A-2006《混合集成电路外壳通用规范》。 |
139 |
1707WP0011 |
带硒化锌光窗金属外壳 |
共2个品种: 材料:光窗:硒化锌,绝缘子:氧化铝陶瓷,底板:钨铜,边框:铁镍合金,引线:4J29。产品结构:采用陶瓷-金属封装;关键指标:光透率99%以上,工作波段3~12μm;其它指标符合GJB5438-2005半导体光电子器件外壳通用规范。 |
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1707WP0012 |
宇航级混合集成电路金属外壳气密性技术攻关 |
共4个品种: 基体材料:可伐、冷轧钢作为基体材料;封盖形式:平行缝焊(2个品种)和储能焊(2个品种);绝缘子:玻璃绝缘子和陶瓷绝缘子;气密性、PIND指标按GJB548相关标准执行;引线数:10~30。 |
141 |
1707WP0013 |
金属外壳铝丝(100μm~500μm)键合脱键问题技术攻关 |
共2个品种: 分立器件用外壳:300℃24h稳定性烘焙、按GJB548中方法1010试验条件F循环500次、125℃1000h寿命试验或按产品详细规范试验后,键合强度试验符合标准且不脱键;至少两种外壳:包含SMD外壳和TO外壳;引线包含100μm、200μm、380μm3种直径铝丝;提供金属外壳粗铝丝键合失效模式分析报告、失效机理分析报告、粗铝丝键合金属外壳在线和出厂的键合检验规范或标准(推荐)、粗铝丝键合的金属外壳使用手册。 |
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来源: 战略前沿技术。